半导体器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180000644.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112956018B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN112956018B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈竞宇;赵起越;周春华;杨超;高吴昊;石瑜;魏宝利 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本揭露提供了半导体器件结构及其制造方法。半导体器件结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极电极、第一电极、第一通孔和第二通孔。衬底具有第一表面和第二表面。第一氮化物半导体层设置在衬底的第一表面上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙超过第一氮化物半导体层的带隙。栅极电极和第一电极设置在第二氮化物半导体层上。第一通孔从第二表面延伸并电连接到第一电极。第二通孔从第二表面延伸。第一通孔的深度不同于第二通孔的深度。 |
