III族氮基半导体封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180000921.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113169150B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN113169150B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01L23/495（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱尚青;张雷;曹凯;黄敬源 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种III族氮基半导体封装结构，包括引线架、黏着层、III族氮基晶粒、封装材料和至少一接合线。引线架包括管芯座和引线。管芯座具有设置在管芯座的顶面中的第一和第二凹槽。第一凹槽位于顶面的相对中心区域附近。第二凹槽位于顶面的相对外围区域附近。从俯视观之，第一凹槽具有与第二凹槽不同的形状。黏着层设置在管芯座上以填充到第一凹槽中。III族氮基晶粒设置在黏着层上。封装材料封装引线架和III族氮基晶粒。第二凹槽填充有封装材料。接合线被封装材料封装。 |
