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半导体器件

基本信息

申请号 CN202110123134.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112951909B 公开（公告）日 2022-02-15
申请公布号 CN112951909B 申请公布日 2022-02-15
分类号 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郝荣晖;黄敬源 申请（专利权）人 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
代理机构 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
法律状态 -

摘要

摘要 半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内。