集成半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210214915.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114597173A | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN114597173A | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L21/8234;H01L27/085;H01L29/778 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹凯;张建平;张雷;姚卫刚;周春华 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种集成半导体器件包含衬底、多个半导体电路层、绝缘材料以及互连层。这些半导体电路层配置在衬底上方。绝缘材料配置在半导体电路层上。互连层嵌入在绝缘材料中且电连接到半导体电路层中的一或多个。半导体电路层包含多个器件部分和一或多个隔离部分。隔离部分配置在器件部分之间，且隔离部分在相邻器件部分之间提供电隔离。互连层具有嵌入在器件部分上的绝缘材料中的多个电路。绝缘材料具有从器件部分上的电路的顶部表面升高的一或多个隔离结构。半导体电路层中的一些形成至少一个异质结。 |
