半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180000662.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112840464B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN112840464B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/417（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李浩;张安邦;郑浩宁 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包含半导体堆叠和第一欧姆接触件。所述半导体堆叠形成于衬底上。所述半导体堆叠具有第一氮化物半导体层和形成于所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层具有比所述第一氮化物半导体层的带隙更宽的带隙。所述第一欧姆接触件安置于所述半导体堆叠上方。所述第一欧姆接触件具有暴露所述第一氮化物半导体层的第一开口。 |
