集成半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202180004425.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114127914A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114127914A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/085（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹凯;张建平;张雷;姚卫刚;周春华 | 申请（专利权）人 | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳宜保知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种集成半导体器件包含衬底、半导体电路层、第一绝缘层、第二绝缘层和互连层。半导体电路层配置在衬底上方。半导体电路层具有器件部分和隔离部分，且隔离部分位于器件部分之间。第一绝缘层配置在半导体电路层上，且第二绝缘层配置在第一绝缘层上，且互连层配置在半导体电路层上。互连层穿透第一绝缘层和第二绝缘层以电连接半导体电路层的器件部分。第二绝缘层或第一绝缘层和第二绝缘层共同地在半导体电路层的隔离部分上方形成一或多个隔离结构。互连层具有位于器件部分上方的多个第一电路。 |
