一种LED芯片用键合衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610203193.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105762263A | 公开（公告）日 | 2016-07-13 |
| 申请公布号 | CN105762263A | 申请公布日 | 2016-07-13 |
| 分类号 | H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 云峰;郭茂峰;苏喜林 | 申请（专利权）人 | 陕西新光源科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陕西新光源科技有限责任公司 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市雁塔区锦业路125号西安半导体产业园103号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。 |
