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一种P型单晶硅电池及其制造方法

基本信息

申请号 CN201811028195.5 申请日 -
公开（公告）号 CN109216480B 公开（公告）日 2019-11-29
申请公布号 CN109216480B 申请公布日 2019-11-29
分类号 H01L31/0236;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 管先炳 申请（专利权）人 苏州钱正信息科技有限公司
代理机构 北京华仁联合知识产权代理有限公司 代理人 苏州元联科技创业园管理有限公司
地址 215131 江苏省苏州市相城区元和街道嘉元路959号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种P型单晶硅电池及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：在所述P型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.6‑0.8，所述第二条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.5‑0.7，所述第一条形沟槽与相邻的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为25‑35微米；接着形成N型磷扩散层、N型重掺杂磷扩散区以及P型重掺杂硼扩散区；接着在所述P型单晶硅片的上下表面分别形成钝化层和电极。本发明的P型单晶硅电池具有优异的光电转换效率。