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初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置及其制作方法和应用

基本信息

申请号 CN201010171200.5 申请日 -
公开（公告）号 CN101845665B 公开（公告）日 2012-05-23
申请公布号 CN101845665B 申请公布日 2012-05-23
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高文秀;叶升平;郝礼;肖小峰 申请（专利权）人 南阳迅天宇硅品有限公司
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 南阳迅天宇硅品有限公司;华中科技大学
地址 473200 河南省南阳市方城县二朗庙后林村
法律状态 -

摘要

摘要 一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造工艺方法和所用装置，属于铸造技术领域。结合V法铸造铸型在传统铸造中保温效果最好的特点，该工艺使用V法铸型进行多晶硅的铸造生产。本发明装置分为上铸型1、下铸型2和冷却系统3共三部分。铸型内除有硅液腔6外，还留有一单独的预热金属液腔8。预热金属液腔8纵截面为上大下小的梯形，呈环状围绕于硅液腔6周围偏上部位。本发明的基本思路是在整个铸型下端通冷却水冷却，铸锭四周及上部使用硅液腔保温层7进行保温，并在铸型金属液腔内浇注金属液预热整个铸型，使铸型达到较高的温度，并形成一自上而下的初始温度梯度，利于硅的定向生长。初凝硅锭有较多的厘米级柱状晶，有效排除杂质。