初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造装置及其制作方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201010171200.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101845665A | 公开（公告）日 | 2010-09-29 |
| 申请公布号 | CN101845665A | 申请公布日 | 2010-09-29 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高文秀;叶升平;郝礼;肖小峰 | 申请（专利权）人 | 南阳迅天宇硅品有限公司 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 南阳迅天宇硅品有限公司;华中科技大学 |
| 地址 | 473200 河南省南阳市方城县二朗庙后林村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种初凝多晶硅定向生长铸锭的铸造工艺方法和所用装置，属于铸造技术领域。结合V法铸造铸型在传统铸造中保温效果最好的特点，该工艺使用V法铸型进行多晶硅的铸造生产。本发明装置分为上铸型1、下铸型2和冷却系统3共三部分。铸型内除有硅液腔6外，还留有一单独的预热金属液腔8。预热金属液腔8纵截面为上大下小的梯形，呈环状围绕于硅液腔6周围偏上部位。本发明的基本思路是在整个铸型下端通冷却水冷却，铸锭四周及上部使用硅液腔保温层7进行保温，并在铸型金属液腔内浇注金属液预热整个铸型，使铸型达到较高的温度，并形成一自上而下的初始温度梯度，利于硅的定向生长。初凝硅锭有较多的厘米级柱状晶，有效排除杂质。 |
