一种铜蚀刻液及其在晶圆级封装中的应用
基本信息
| 申请号 | CN202110903582.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113718256A | 公开（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申请公布号 | CN113718256A | 申请公布日 | 2021-11-30 |
| 分类号 | C23F1/18（2006.01）I;H01L21/3213（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 侯军;武文东 | 申请（专利权）人 | 浙江奥首材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京元周律知识产权代理有限公司 | 代理人 | 毛薇 |
| 地址 | 324012浙江省衢州市杜鹃路36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种铜蚀刻液，按重量份计含有：有机酸1.0‑8.0份；含有羧酸基团的胺类化合物0.1‑4.0份；酰胺类表面活性剂0.001‑1.0份；有机膦系化合物0.3‑3.0份；过氧化氢1‑10份；水70.0‑99.0份。在一定的浓度范围内，有机酸、含有羧酸基团的胺类化合物、酰胺类表面活性剂、有机膦系化合物、过氧化氢以及水的复配，可以有效地将晶圆上的铜层去除。尤其是含有羧酸基团的胺类化合物和酰胺类表面活性剂的引入，其二者的协同作用不仅降低了金属的腐蚀，而且减少了侧蚀，将CD‑loss控制在了300nm以内，从而为晶圆级封装窄间距凸点、精细线路的制作提供有效的技术支持。 |
