一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途
基本信息
| 申请号 | CN202110704136.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113652128A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113652128A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | C09D133/00（2006.01）I;C09D171/02（2006.01）I;C09D7/65（2018.01）I;C09D7/20（2018.01）I;H01L21/683（2006.01）I;H01L21/78（2006.01）I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 侯军;贺剑锋 | 申请（专利权）人 | 浙江奥首材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 大连大工智讯专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔雪 |
| 地址 | 324012浙江省衢州市杜鹃路36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶圆等离子切割保护液及其制备方法与用途。本发明晶圆等离子切割保护液包括重量配比如下的各组分：水溶性树脂5‑40份；润湿剂0.1‑2份；消泡剂0.1‑2份；自由基捕捉剂0.1‑2份；有机溶剂5‑20份；水34‑89.7份。本发明晶圆等离子切割保护液能够在晶圆表面快速成膜，具有良好的耐热性和可移除性。在晶圆加工时采用本发明保护液，能够有效避免冷凝后的硅蒸气或其他在加工过程中产生的碎屑沉积在芯片表面；同时本发明晶圆等离子切割保护液具有较高的热稳定性，能够避免由于激光切割的热效应或在较高工作温度下进行等离子切割时，保护膜分解导致晶圆表面直接暴露在外部环境下，有效提高产品的可靠性和良率。 |
