石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010443660.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111613698A | 公开（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申请公布号 | CN111613698A | 申请公布日 | 2020-09-01 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐洪秀 | 申请（专利权）人 | 青岛粲耀新材料科技有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 266000山东省青岛市黄岛区胎泰发路临港工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜，通过在现有的III族氮化物半导体复合薄膜中插层石墨烯层，以在衬底表面制得结构为(III族氮化物层A/石墨烯/III族氮化物层B/石墨烯)n+1/GaN的石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜。石墨烯插层的引入，可以改善改善各III族氮化物层的平整度以及III族氮化物层和石墨烯层之间的界面陡峭度。同时，石墨烯层与III族氮化物层之间均是异质结构，可以增强整个超晶格薄膜的光电转换效率，不需要通过额外的调控III族氮化物层中的元素百分比含量来获得具有不同势垒的结构层来增强光电转换效率。 |
