一种含有石墨烯插层的GaN/AlGaN超晶格薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010443659.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111613697B | 公开（公告）日 | 2020-11-27 |
| 申请公布号 | CN111613697B | 申请公布日 | 2020-11-27 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L31/18;H01L31/0352;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐洪秀 | 申请（专利权）人 | 青岛粲耀新材料科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京艾皮专利代理有限公司 | 代理人 | 冯铁惠 |
| 地址 | 044500 山西省运城市永济市城东街道循环经济产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种含有石墨烯插层的GaN/AlGaN超晶格薄膜，通过在现有的GaN/AlGaN超晶格薄膜中插层石墨烯层，以在衬底表面制得结构为(GaN/石墨烯/AlGaN/石墨烯)n+1/GaN的含石墨烯插层的GaN/AlGaN超晶格薄膜。石墨烯插层的引入，可以改善改善GaN层和AlGaN层的平整度以及GaN层、AlGaN层、石墨烯层之间的界面陡峭度。同时，石墨烯层与GaN层和AlGaN层之间均是异质结构，可以增强整个超晶格薄膜的光电转换效率，不需要通过额外的调控AlGaN层中的Al含量来获得具有不同势垒的结构层来增强光电转换效率。 |
