一种纳米多孔石墨烯的制备方法
基本信息
申请号 | CN202010521141.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111533113A | 公开(公告)日 | 2020-08-14 |
申请公布号 | CN111533113A | 申请公布日 | 2020-08-14 |
分类号 | C01B32/186(2017.01)I | 分类 | - |
发明人 | 徐洪秀 | 申请(专利权)人 | 青岛粲耀新材料科技有限责任公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 266000山东省青岛市黄岛区胎泰发路临港工业园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种纳米石墨烯材料的制备方法,通过对传统的生长石墨烯的泡沫基底进行蚀刻预处理,获得具有纳米多孔结构的泡沫基底,经还原后,在其表面生长石墨烯,可以获得具有丰富的纳米多孔结构的石墨烯材料。 |
