一种硅光伏电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810002365.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108172686B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN108172686B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L51/42（2006.01）I;H01L51/44（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张军 | 申请（专利权）人 | 苏州宝澜环保科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京棘龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 谢静 |
| 地址 | 519015 广东省珠海市香洲区拱北桂花北路205号北岭桂花工业村1栋1层11100室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种硅光伏电池及其制备方法，所述硅光伏电池的制备方法包括：n型硅片表面硅纳米线阵列的制备；将含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液通过旋涂法旋涂于n型硅片上，并进行退火处理；接着将PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上，并进行退火处理，正面电极的制备；n型硅片背面8‑羟基喹啉‑锂/氟化锂复合界面层的制备；背面铝电极的制备。通过旋涂含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液，在形成Spiro‑OMeTAD层的同时，绝缘纳米颗粒将沉积于n型硅片表面，有效减少n型硅片表面的缺陷态，降低硅光伏电池的表面复合速率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。 |
