一种消除MOS开关管内二极管关断损耗的简单方法
基本信息
| 申请号 | CN201110359892.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103107691A | 公开（公告）日 | 2013-05-15 |
| 申请公布号 | CN103107691A | 申请公布日 | 2013-05-15 |
| 分类号 | H02M1/36(2007.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 张兆良 | 申请（专利权）人 | 上海英孚特电子技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201107 上海市闵行区纪宏路81号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在半桥式变换器电路中电感线圈中的电流有时会经MOS开关管内二极管维持流通。当此电流减为零，并即刻有高反向电压加上，而此刻二极管的反向恢复电流还未消失，就将产生不可忽略的损耗(MOS开关管内二极管的反向恢复时间一般为数百纳秒，反应不够快，达不到有些电路要求)。本发明通过在半桥式变换器两个MOS开关管电流通路中分别串入一个圈数很少的与变换器输出线圈耦合的绕组，使之感应出一个反向低电压使MOS开关管内二极管断开，使原来流过这两个二极管的电流经由相应加上的两个超快恢复二极管流过，大大减小了这部分损耗。电路简单可行，成本低，效果明显。 |
