多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法
基本信息
| 申请号 | CN02151126.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1190527C | 公开（公告）日 | 2005-02-23 |
| 申请公布号 | CN1190527C | 申请公布日 | 2005-02-23 |
| 分类号 | C30B27/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李立本;杨德仁;阙端麟 | 申请（专利权）人 | 宁波立立半导体有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的多晶硅融化掺氮直拉生长微氮硅单晶的方法包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、生长、收尾、冷却全过程，其特征是在多晶硅融化时，用高纯氮气作为保护气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量为1～200 l/min，氮气通入时间1～1000分钟，在多晶硅融化后，转化为氩气保护，直至硅晶体生长完成。本发明方法克服了普通氮保护气生长大直径硅单晶的氮元素浓度过高，浓度不易控制的困难，同时能有效降低大直径硅单晶的生产成本，特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。 |
