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一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置及方法

基本信息

申请号 CN202110611010.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113174628A 公开（公告）日 2021-07-27
申请公布号 CN113174628A 申请公布日 2021-07-27
分类号 C30B11/00（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B29/12（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王庆国;钱小波;唐飞;姜大朋;苏良碧;贾健;许艳涛 申请（专利权）人 上海德硅凯氟光电科技有限公司
代理机构 上海骁象知识产权代理有限公司 代理人 赵峰
地址 201802上海市嘉定区真南路4268号2幢J16043室
法律状态 -

摘要

摘要 一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置及方法，包括炉体，炉体内腔装有底部保温屏，底部保温屏上安装有下圆周保温屏和隔热环，隔热环上方装有上圆周保温屏和顶部保温屏；坩埚支柱杆穿过炉体且固定安装有坩埚，上腔体内固定安装有发热体；炉体底部通过进气口与惰性气体罐和还原性气体罐相连接，炉体上方侧表面设置有出气口。其方法包括热场安装和装料、抽真空并充入保护气氛、升温化料、晶体生长和降温退火。本发明克服了现有技术的不足，通过不断充入惰性气体加还原性气体的混合气，从而既保证在氟化物生长过程中能够有效去除原料中含氧杂质，也能够有效将热场、原料中挥发出来的杂质带出炉腔，大大减少炉内的杂质污染物，以提高晶体质量。