一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110423352.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112941629A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN112941629A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | C30B29/12;C30B11/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王庆国;姜大朋;唐飞;钱小波;苏良碧;贾健;许艳涛 | 申请（专利权）人 | 上海德硅凯氟光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海骁象知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵峰 |
| 地址 | 201802 上海市嘉定区真南路4268号2幢J16043室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置及方法，其装置包括坩埚，所述坩埚上方设置有坩埚盖，所述坩埚的内腔中固定安装有若干石墨模具，所述石墨模具为向下弯曲的球形罩体结构，每相邻两个石墨模具之间均留有空隙，所述坩埚内腔底部设置有凹槽。其方法包括热场的安装、升温化料、晶体生长、降温退火和晶体取出过程。本发明克服了现有技术的不足，通过在坩埚下降法石墨坩埚中放置石墨模具，实现氟化钙球罩一次性成形，且能够单炉实现多件球罩同步生长，加工过程简单，原料利用率高。 |
