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一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩

基本信息

申请号 CN202120808114.4 申请日 -
公开（公告）号 CN214992010U 公开（公告）日 2021-12-03
申请公布号 CN214992010U 申请公布日 2021-12-03
分类号 C30B29/12（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王庆国;姜大朋;苏良碧;贾健 申请（专利权）人 上海德硅凯氟光电科技有限公司
代理机构 上海骁象知识产权代理有限公司 代理人 赵峰
地址 201802上海市嘉定区真南路4268号2幢J16043室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种利用坩埚下降法生长氟化钙单晶球罩的装置，包括坩埚，所述坩埚上方设置有坩埚盖，所述坩埚的内腔中固定安装有若干石墨模具，所述石墨模具为向下弯曲的球形罩体结构，每相邻两个石墨模具之间均留有空隙，所述坩埚内腔底部设置有凹槽。其方法包括热场的安装、升温化料、晶体生长、降温退火和晶体取出过程。本实用新型克服了现有技术的不足，通过在坩埚下降法石墨坩埚中放置石墨模具，实现氟化钙球罩一次性成形，且能够单炉实现多件球罩同步生长，加工过程简单，原料利用率高。