晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器
基本信息
| 申请号 | CN202110410508.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517344A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517344A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华文宇;薛迎飞 | 申请（专利权）人 | 芯盟科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙佳胤 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成贴附于绝缘侧墙的柱状导电沟道；在所述柱状导电沟道侧面形成半包围所述柱状导电沟道的栅绝缘层，并暴露所述柱状导电沟道两端；在所述柱状导电沟道侧面形成覆盖所述栅绝缘层的栅电极；在所述柱状导电沟道两端形成源电极和漏电极。上述技术方案是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。 |
