半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110794375.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113540092A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113540092A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余兴;华文宇;刘藩东 | 申请（专利权）人 | 芯盟科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一衬底，第一衬底包括沿第一方向间隔排列的若干第一有源区组和若干第二有源区组，第一有源区组包括若干第一有源区，第二有源区组包括若干第二有源区，第一投影和第二投影是形状相同的矩形；位于若干第一有源区和若干第二有源区之间的第一隔离层；相互独立的若干字线栅结构，字线栅结构位于第一衬底和第一隔离层内；若干位线结构，每个位线结构位于1个第一有源区组或1个第二有源区组上；若干电容结构，电容结构和位线结构分别位于第一衬底相对的两个表面上。所述半导体结构能够改善动态随机存取存储器的性能，降低形成动态随机存取存储器的工艺难度。 |
