半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110774725.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113517292A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113517292A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘藩东;华文宇;骆中伟 | 申请（专利权）人 | 芯盟科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；形成所述各有源区内的第二隔离层，所述第二隔离层在所述衬底表面的投影位于相邻的所述字线栅极结构在所述衬底表面的投影之间；在所述第一面上形成若干位线，在所述减薄处理后的所述第二面上形成若干电容，所述位线平行于所述第二方向，且每条位线与若干所述有源区电连接，每个所述有源区与两个电容电连接；或者，在所述减薄厚的第二面上形成若干位线，在所述第一面上形成若干电容，所述位线平行于所述第二方向，且每条位线与若干所述有源区电连接，每个所述有源区与两个电容电连接，简化了工艺的难度，提高了芯片的集成化水平。 |
