T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110424667.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113506738A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113506738A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华文宇;王喜龙 | 申请（专利权）人 | 芯盟科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡亮;张颖玲 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市经济开发区双联路129号天通9号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供一种T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法，所述T型双沟道晶体管的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有多个晶体管形成区域，每一晶体管形成区域具有一晶体管柱，每一晶体管柱在第一方向上具有相对裸露的第一台阶侧壁和第二台阶侧壁；分别在所述第一台阶侧壁和所述第二台阶侧壁上依次形成具有台阶结构的栅极氧化层和栅极；在所述晶体管柱的第一端，形成源极；在所述晶体管柱的第二端，形成漏极，其中，第一端和第二端分别为晶体管柱在第二方向上相对的两端，第二方向为所述晶圆的厚度方向，第二方向垂直于第一方向；所述源极和所述漏极之间的晶体管柱构成所述T型双沟道晶体管的双沟道区。 |
