半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202110800426.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113540094A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113540094A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华文宇;刘藩东;张帜 | 申请（专利权）人 | 芯盟科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一凹槽内形成字线栅极结构；在所述第一面上形成若干位线，所述位线平行于第三方向，且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接；自所述第二面对所述衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一隔离层表面；所述减薄处理后，在所述各有源区内形成若干第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔离层位于相邻的所述字线栅极结构之间，且所述第二隔离层在沿所述第一方向上贯穿若干有源区；形成所述第二隔离层后，在所述第二面上形成若干电容，每个所述有源区与若干电容电连接，所形成的半导体结构，单位存储单元占据的面积较小，提高了芯片的集成化水平。 |
