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一种晶圆结构及其测试方法

基本信息

申请号 CN201811008476.4 申请日 -
公开（公告）号 CN109285827B 公开（公告）日 2019-05-31
申请公布号 CN109285827B 申请公布日 2019-05-31
分类号 H01L23/544（2006.01）I; G01N33/00（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 罗玉辉; 陈柱元; 程元红; 邝智豪; 黄逸生 申请（专利权）人 新亮智能技术（中山）有限公司
代理机构 广州市越秀区海心联合专利代理事务所（普通合伙） 代理人 深亮智能技术（中山）有限公司
地址 528400 广东省中山市火炬开发区东镇东一路32号3幢厂房一层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶圆结构及其测试方法，包括叠放的衬底和外延层；所述外延层包括多层间隔设置的金属层和分隔层；其优点在于：在一个晶圆结构上设置多层金属含量不同的金属层，通过一次测试可同时获得多层金属层的氧化数据，进而得到该种功率器件的多种金属含量氧化数据，大大减少了调试所需的时间和成本；由于在同一氧化环境中同时获得多层金属层的氧化数据，提高了氧化环境的统一性，减少了可能存在的由氧化环境设置误差导致的测试结果误差，提高了测试结果的准确性。