一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201810959093.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109216183A | 公开（公告）日 | 2019-01-15 |
| 申请公布号 | CN109216183A | 申请公布日 | 2019-01-15 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/308;H01S5/183 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗玉辉;程元红;邝智豪;黄逸生 | 申请（专利权）人 | 新亮智能技术（中山）有限公司 |
| 代理机构 | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深亮智能技术（中山）有限公司 |
| 地址 | 528400 广东省中山市火炬开发区东镇东一路32号3幢厂房一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地，所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层，然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层；使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻，蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻，蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。 |
