一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法

基本信息

申请号 CN201610040986.4 申请日 -
公开(公告)号 CN105679684A 公开(公告)日 2016-06-15
申请公布号 CN105679684A 申请公布日 2016-06-15
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 余正刚;邹冠生;单春光;余会;冯华忠;余正伟 申请(专利权)人 中山市瑞宝电子科技有限公司
代理机构 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 代理人 邹常友
地址 528400 广东省中山市南朗镇大车工业区东桠工业园B幢3楼(中山市嘉兴电子有限公司侧)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法,具体步骤为:一、配制活化液;二、镜面氮化铝陶瓷基板表面除油处理,在除油溶液中浸泡15~300min后,用纯水冲洗干净;三、镜面氮化铝陶瓷基板表面除蜡处理,在除蜡水中浸泡15~300min;四、镜面氮化铝陶瓷基板表面活化接枝;五、用去离子水冲净镜面氮化铝基板表面,冷风吹干镜面氮化铝陶瓷基板上的水后,置于烘箱中烘烤30~180min,自然冷却后得到高活性的镜面氮化铝陶瓷基板。本发明有效降低了镜面氮化铝陶瓷基板DPC工艺中前处理时对镜面氮化铝表面的损伤,在氮化铝陶瓷基板表面形成一层超薄的高活性膜层,对金属元素具有强浸润作用和附着能力,特别适用于氮化铝材质的IC载板DPC工艺的使用。