基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法
基本信息
| 申请号 | CN201811093800.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109346593A | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN109346593A | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | H01L33/60;H01S5/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单春光;邹冠生 | 申请（专利权）人 | 中山市瑞宝电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人 | 叶玉凤;徐勋夫 |
| 地址 | 528400 广东省中山市南朗镇大车工业区东桠工业园B幢3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于切割技术的陶瓷支架围坝成型方法，括以下步骤：第1步，对陶瓷板表面将要用于电镀的相应部位进行金属化处理；第2步，通过电镀的方式制作独立线路及环形镀铜层；第3步，使环形镀铜层通过逐层电镀加厚增加到所需高度，形成金属围坝；第4步，通过切割方法将金属围坝的内侧面切除一部分，形成内侧面平整光滑的立体结构。本发明藉由将金属围坝粗糙的内表面切除，使内表面光滑，可以提高表面的光泽度，反光效果更好。除此之外，通过切割的方式将金属围坝的一部分去除，可以使围坝的壁厚变薄，从而增大围坝内部的空间，使得围坝内可以放置更大颗粒晶片，有利于大功率晶片的配置。 |
