一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法
基本信息

| 申请号 | CN201610040986.4 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN105679684B | 公开(公告)日 | 2018-10-09 |
| 申请公布号 | CN105679684B | 申请公布日 | 2018-10-09 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余正刚;邹冠生;单春光;余会;冯华忠;余正伟 | 申请(专利权)人 | 中山市瑞宝电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 邹常友 |
| 地址 | 528400 广东省中山市南朗镇大车工业区东桠工业园B幢3楼(中山市嘉兴电子有限公司侧) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明公开了一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法,具体步骤为:一、配制活化溶液;二、镜面氮化铝陶瓷基板表面除油处理,在除油溶液中浸泡15~300min后,用纯水冲洗干净;三、镜面氮化铝陶瓷基板表面除蜡处理,在除蜡水中浸泡15~300min;四、镜面氮化铝陶瓷基板表面活化;五、用去离子水冲净镜面氮化铝基板表面,冷风吹干镜面氮化铝陶瓷基板上的水后,置于烘箱中烘烤30~180min,自然冷却后得到高活性的镜面氮化铝陶瓷基板。本发明有效降低了镜面氮化铝陶瓷基板DPC工艺中前处理时对镜面氮化铝表面的损伤,在氮化铝陶瓷基板表面形成一层超薄的高活性膜层,对金属元素具有强浸润作用和附着能力,特别适用于氮化铝材质的IC载板DPC工艺的使用。 |





