一种SiCMOSFET驱动器的短路保护电路
基本信息
| 申请号 | CN202021637404.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213547099U | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN213547099U | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | H02H7/20（2006.01）I;H02H3/08（2006.01）I;H02M1/08（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 孙宝奎;张良;赵彩萍;朱宁辉;王蓓蓓;古哲韬 | 申请（专利权）人 | 中电普瑞科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐国文 |
| 地址 | 102200北京市昌平区南邵镇南中路16号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种SiC MOSFET驱动器的短路保护电路，包括温度检测电路和控制电路；温度检测电路与控制电路连接，且两者分别与SiC MOSFET连接，本实用新型能够对SiC MOSFET进行精准保护，不易误动作，保护能力强，避免SiC MOSFET由于结温过高而失效，延长了SiC MOSFET的使用寿命；大大提高了驱动器的可靠性，使驱动器能够可靠驱动SiC MOSFET动作。 |
