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检测晶片基底二维形貌的装置

基本信息

申请号 CN201410692862.5 申请日 -
公开（公告）号 CN105698705B 公开（公告）日 2018-03-30
申请公布号 CN105698705B 申请公布日 2018-03-30
分类号 G01B11/245 分类 测量；测试;
发明人 刘健鹏;马铁中;黄文勇;张立芳 申请（专利权）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘杰
地址 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片，N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过第一分光片和第二分光片可以入射到样品上后返回的N束光分成两个方向，分别进行探测，镀膜区域反射和透射的性质则根据个第一种反射光束的传播方向决定，而通过在分光片的不同区域镀不同性质的镀膜满足检测晶片基底二维形貌的装置对光路传播的要求，由于镀膜精度极高，因此，能够保证不同传播方向PSD接收到的光的一致性。