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一种薄膜生长的自校准实时测温装置

基本信息

申请号 CN201310654540.7 申请日 -
公开（公告）号 CN104697636B 公开（公告）日 2018-05-01
申请公布号 CN104697636B 申请公布日 2018-05-01
分类号 G01J5/00;G01J5/08 分类 测量；测试;
发明人 马铁中;严冬;王林梓;刘健鹏;焦宏达 申请（专利权）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘杰
地址 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上与实际热辐射比值对应的点，并将该点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。