一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202111463400.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114355728A | 公开（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申请公布号 | CN114355728A | 申请公布日 | 2022-04-15 |
| 分类号 | G03F7/09（2006.01）I;G03F7/11（2006.01）I;G03F7/033（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 韩传龙;李伟杰;张浙南;朱薛妍;陈涛;黄磊 | 申请（专利权）人 | 杭州福斯特电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 浙江千克知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任婷婷 |
| 地址 | 311300浙江省杭州市临安市锦北街道福斯特街8号1幢212 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种干膜抗蚀剂层压体及其制备方法和应用，所述干膜抗蚀剂层压体包括支撑膜、保护膜以及设于支撑膜与保护膜之间的抗蚀剂膜，所述抗蚀剂膜由感光性树脂组合物涂布在所述支撑膜表面经干燥后形成，且所述支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度为3.0‑17.0 N/m，支撑膜达因值为35‑45 mN/m。本发明通过控制抗蚀剂膜中的溶剂残存量以及支撑膜达因值，从而控制支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度，使得最终得到的干膜抗蚀剂层压体中的支撑膜与抗蚀剂膜剥离强度适中，能够保证在贴膜过程中支撑膜和抗蚀剂膜无剥离，显影过程中支撑膜与抗蚀剂膜易剥离的特点。 |
