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一种等离子体浸没离子注入系统

基本信息

申请号 CN201210533994.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103866394A 公开（公告）日 2014-06-18
申请公布号 CN103866394A 申请公布日 2014-06-18
分类号 C30B31/22(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 赵丽莉;邹志超;窦伟;李超波 申请（专利权）人 江苏中科九微科技有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 中国科学院微电子研究所;中科九微科技有限公司
地址 226001 江苏省南通市高新区钟秀路南侧、双福路西侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种等离子体浸没离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述等离子体浸没离子注入系统还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，所述加热装置用于将所述注入源中的单质金属气化，本发明通过利用金属或者金属氧化物在不同温度下的饱和蒸汽压不同的特性，将注入源中的单质金属气化成单质金属气体，进而实现了有效产生金属等离子体，具有离子注入品质高的技术效果。