腔室压力控制方法及装置、半导体设备专利查询专利号|摘要-满商公司网

腔室压力控制方法及装置、半导体设备

基本信息

申请号	CN201910314577.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111831022B	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN111831022B	申请公布日	2022-03-18
分类号	G05D16/20（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I	分类	控制；调节;
发明人	郑文宁;赵迪;陈正堂	申请（专利权）人	北京七星华创流量计有限公司
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;张天舒
地址	100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号1幢506室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种腔室压力控制方法及装置、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，检测腔室内部的实际压力值；S2，计算实际压力值与预设的目标压力值的差值；判断差值是否超出预设范围，若超出，则进行步骤S3；若未超出，则流程结束；S3，获取控制系数，该控制系数为曲率与预设的PID系数的乘积，该曲率为与当前的气体流量值对应的关于压力和位置参数的曲线中，与执行单元的当前的位置参数值相对应的曲率；S4，基于差值和控制系数计算获得执行单元的位置参数调整量，向该执行单元输出，返回步骤S2。本发明提供的腔室压力控制方法及装置、半导体设备的技术方案，可以精确快速的控制腔室内压力，使之稳定在预设范围内，从而可以提高工艺质量和成品率。