基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810774072.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108998771A | 公开（公告）日 | 2018-12-14 |
| 申请公布号 | CN108998771A | 申请公布日 | 2018-12-14 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;B82Y30/00;H01G4/008;H01G4/10;H01G4/33 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 唐玉乐 | 申请（专利权）人 | 厦门市诚安毅科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361000 福建省厦门市思明区前埔二里39号605室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法。包括以下步骤：采用蒸发镀膜制备薄膜电容底部纳米铝层薄膜，形成底部导电层；利用反应溅射沉积SiOxNy薄膜层，再通过射频磁控溅射沉积TiO2层，制备高k TiO2/SiOxNy中间绝缘层TiO2薄膜，形成中间介电层；制备顶部纳米铝层薄膜，形成顶部导电层；最后，通过退火处理，即可制得高k电介质基薄膜电容。本发明的高k电介质基薄膜电容制备过程简单，成本低廉，且无需特定的模板；中间介电层k值的大小可通过沉积工艺进行调控，薄膜电容频率特性与介电性能优良，稳定性高，且一致性好，可适用于高频率段。 |
