一种TFT‑LCD制造工艺中的双面刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201610757778.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106292031A | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN106292031A | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 洪朝满 | 申请（专利权）人 | 红河凯立特科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 史明罡 |
| 地址 | 661100 云南省红河哈尼族彝族自治州红河州蒙自市红河综合保税区围网内增值加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种TFT‑LCD制造工艺中的双面刻蚀方法。本发明方法包括如下步骤：(1)在基片两侧的面板上分别制备功能电极层；(2)在步骤(1)所制备的功能电极层上分别制备所需形状的抗蚀剂层；(3)将步骤(2)所得基片两侧的功能电极层同时进行刻蚀处理；(4)将步骤(3)所得刻蚀后的基片上的所需形状的抗蚀剂层去除，得到两侧分别具有所需形状功能电极的基片。本发明方法工艺简单，通过将基片两侧的功能电极层同时进行刻蚀处理，得到所需形状的功能电极，免去了传统工艺中对基片两侧的功能电极层需分别进行一次刻蚀及后续工艺的繁琐步骤，极大地节省了基片两侧都具有功能电极的TFT‑LCD的生产时间，提高了生产效率。 |
