一种高纯度硅片
基本信息
| 申请号 | CN201220414958.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202786508U | 公开（公告）日 | 2013-03-13 |
| 申请公布号 | CN202786508U | 申请公布日 | 2013-03-13 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 夏学军 | 申请（专利权）人 | 云南三奇光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 云南三奇光电科技有限公司 |
| 地址 | 675800 云南省临沧市云县爱华镇旧村祥临二级路下侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及晶态硅技术领域，具体公开了一种高纯度硅片，其包括硅片本体，所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片，该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。本实用新型的高纯度硅片，其采用长方形的结构设计，且长方形的四个顶角均采用直角设置，不仅可以避免正方形设置浪费硅片的缺点，且可以对硅棒体进行更多的利用，减少损耗，可以在一定程度上降低生产成本。 |
