一种石墨烯的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310233173.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103311104B | 公开（公告）日 | 2016-01-27 |
| 申请公布号 | CN103311104B | 申请公布日 | 2016-01-27 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 诸葛兰剑;金成刚;余涛;徐轶君;杨燕;黄天源;吴明智;吴雪梅;叶超 | 申请（专利权）人 | 山东安固强石墨烯科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。 |
