原位生成氮化物增强高熵合金基粉体材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011490074.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112705717A | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN112705717A | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | B22F9/08;C22C30/00;C22C32/00;B22F1/00 | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 金霞;金莹;史金光;刘平;张腾辉;张玲玲 | 申请（专利权）人 | 浙江省冶金研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 汤东凤 |
| 地址 | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩工业园金蓬街372号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种原位生成氮化物增强高熵合金基粉体材料的制备方法。该碳化物增强的高熵合金粉体首先采用真空熔炼炉制备高熵合金棒材，然后利用无坩埚雾化技术，通过调节雾化气体中氩气和氮气的比例，原位制备出球形度高、粒径分布均匀的金属氮化物增强的高纯度高熵合金基粉体材料，其中金属氮化物均匀分布于高熵合金基体中，起到弥散强化的作用。本发明所提供的原位生成金属氮化物的方法不仅适用于具有单一晶体结构的高熵合金基粉体材料，还适用于共晶高熵合金基粉体材料。该氮化物增强的高熵合金基粉体材料制备工艺简单，易于控制，产品质量稳定，适合大规模工业生产且对环境无污染，绿色环保。 |
