CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510450126.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105023958B | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN105023958B | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李艺明;邓国云 | 申请（专利权）人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制作方法，包括，衬底，覆盖衬底表面的背电极层，覆盖背电极层的光吸收层，覆盖光吸收层的缓冲层，覆盖缓冲层的透明导电层，以及覆盖透明导电层的氮氧化铝硅膜层或由氧化锌硅膜层与氮氧化硅膜层交替组成的复合膜层。所述的氮氧化铝硅膜层或复合膜层能够有效阻挡外部的水分子进入薄膜电池内部，减小薄膜太阳能电池效率下降的程度；同时又可起到减反射的作用，增加入射光到达电池的光吸收层，从而可增加薄膜电池的短路电流。 |
