溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池

基本信息

申请号 CN201510370003.9 申请日 -
公开(公告)号 CN105047738B 公开(公告)日 2018-02-09
申请公布号 CN105047738B 申请公布日 2018-02-09
分类号 H01L31/0336;H01L31/04 分类 基本电气元件;
发明人 李艺明;邓国云 申请(专利权)人 厦门神科太阳能有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池,通过在硫化锌材料中掺入一定量的B、Al、Ga、In元素来制作硫化锌溅射靶材,并用该硫化锌溅射靶来制作无镉的薄膜太阳能电池,本发明的硫化锌溅射靶材可使用DC溅射沉积或AC溅射沉积,可避免使用复杂的RF溅射设备沉积硫化锌膜层,可降低薄膜电池的制造成本。