溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池
基本信息
申请号 | CN201510370003.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN105047738B | 公开(公告)日 | 2018-02-09 |
申请公布号 | CN105047738B | 申请公布日 | 2018-02-09 |
分类号 | H01L31/0336;H01L31/04 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李艺明;邓国云 | 申请(专利权)人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池,通过在硫化锌材料中掺入一定量的B、Al、Ga、In元素来制作硫化锌溅射靶材,并用该硫化锌溅射靶来制作无镉的薄膜太阳能电池,本发明的硫化锌溅射靶材可使用DC溅射沉积或AC溅射沉积,可避免使用复杂的RF溅射设备沉积硫化锌膜层,可降低薄膜电池的制造成本。 |
