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CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法

基本信息

申请号 CN201510710965.4 申请日 -
公开（公告）号 CN105336800B 公开（公告）日 2017-03-29
申请公布号 CN105336800B 申请公布日 2017-03-29
分类号 H01L31/032(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李艺明;邓国云 申请（专利权）人 厦门神科太阳能有限公司
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 代理人 张松亭;游学明
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法。该方法包括提供基板，基板沉积有预制层。该方法进一步包括：将惰性气体、含硒物质、含硫物质引入加热炉中，并将热能转移入炉内，以将温度从室温升高到第一温度，并在第一温度停留一段时间；之后，将温度从第一温度升高到第二温度，并在第二温度停留一段时间；之后，将温度从第二温度升高到第三温度，并在第三温度停留一段时间；之后，将温度从第三温度降至第四温度，并在第四温度停留一段时间；之后，冷却至室温。本发明能够使光吸收层获得较大的晶粒，能够实现较高的开路电压和较高的填充因子。