CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510381116.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105047737B | 公开（公告）日 | 2017-04-19 |
| 申请公布号 | CN105047737B | 申请公布日 | 2017-04-19 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李艺明;邓国云 | 申请（专利权）人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池的制备方法。该制备方法包括在p型光吸收层的表面沉积一层牺牲层，接着进行热扩散，使牺牲层中的元素扩散进入p型光吸收层的表层区域，从而使光吸收层的表层区域由p型转变为n型半导体层。所述牺牲层含有Zn元素和Ga、Al中的至少一种元素，牺牲层还可含有M元素，所述M元素选自Mg、Ca中的至少一种；所述通过将牺牲层中的元素扩散进入光吸收层的表层区域，从而形成n型半导体层，使n型半导体层的电子亲和能变小，使之与透明导电层的电子亲和能更加匹配，可有效防止薄膜电池隧道电流泄漏，提高薄膜电池的转换效率。 |
