一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510540824.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105244394B | 公开（公告）日 | 2017-12-08 |
| 申请公布号 | CN105244394B | 申请公布日 | 2017-12-08 |
| 分类号 | H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/065(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李艺明;邓国云 | 申请（专利权）人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | 张松亭;游学明 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法，包括：衬底，在衬底上形成背电极层，在背电极层上形成一层合金膜层，在合金膜层上形成p型光吸收层，在p型光吸收层上形成缓冲层，在缓冲层上形成透明导电层。所述合金膜层由银、铂、铬和镓中的至少一种元素与锑元素组成。在背电极层上形成一层上述合金膜层可以提高p型光吸收层的结晶颗粒的尺寸，提高短路电流，同时减少背电极层受硫族元素的腐蚀，从而提高薄膜太阳能电池的性能，降低制造成本。 |
