一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510531219.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105206707B | 公开（公告）日 | 2017-03-29 |
| 申请公布号 | CN105206707B | 申请公布日 | 2017-03-29 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴富章 | 申请（专利权）人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | 张松亭;姜谧 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将已经沉积好金属背电极和前驱金属合金层的铜铟镓基板以40～60°的角度放置在真空腔的工作盘上，用电子束蒸发法在其上制备第一硒膜；(2)将步骤(1)制得的具有硒膜的铜铟镓基板加热至100～300℃，同时通入惰性气体，并保持恒定压力；(3)继续加热至300～600℃，保持恒定压力，同时用电子束蒸发法和离子源辅助硒化法在第一硒膜上制备第二硒膜；(4)将温度降低到200℃，排出真空腔内的气体，即得产品。本发明的方法在蒸发过程中精确控制硒薄膜的厚度、基板的温度、基板的放置角度、工件盘的转速、气体压力，从而达到硒薄膜在基板上分布均匀，变化梯度小。 |
