一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510362598.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105140320B | 公开（公告）日 | 2017-06-23 |
| 申请公布号 | CN105140320B | 申请公布日 | 2017-06-23 |
| 分类号 | H01L31/0352;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李艺明;田宏波;邓国云 | 申请（专利权）人 | 厦门神科太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 | 代理人 | 张松亭 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于形成CIGS基薄膜太阳能电池的方法，包括基板，在基板上沉积金属背电极层，接着对金属背电极层进行P1刻划，接着沉积一层MoSx(0<x≤2)或Mo(S1‑xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜层，接着在其上形成光吸收层，在光吸收层上沉积缓冲层，在缓冲层上沉积透明导电窗口层。通过在形成光吸收层之前先沉积一层MoSx(0<x≤2)或Mo(S1‑xSex)y(0<x<1,0<y≤2)薄膜层，可有效降低电池内部的分流作用，提高电池的并联电阻和填充因子。 |
