采用闪速存储器作内存的智能卡集成电路
基本信息
申请号 | CN99123762.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN1112650C | 公开(公告)日 | 2003-06-25 |
申请公布号 | CN1112650C | 申请公布日 | 2003-06-25 |
分类号 | G06K19/07 | 分类 | 计算;推算;计数; |
发明人 | 魏少军;杨延辉 | 申请(专利权)人 | 大唐电信科技股份有限公司微电子分公司 |
代理机构 | 北京德琦专利 | 代理人 | 夏宪富 |
地址 | 100083北京市海淀区学院路40号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种采用闪速存储器作内存的智能卡集成电路,包括有:由中央处理器CPU,与该中央处理器CPU直接相连接的I/O串行接口和系统总线,通过系统总线与该中央处理器CPU相连接的随机存储器RAM、只读存储器ROM、可擦写的只读存储器EEPROM,与可擦写的只读存储器EEPROM相连接的升压电路所组成的计算机系统,以及时钟电路、复位电路、电源和接地管脚;其中只读存储器ROM用于存储片内操作系统COS(Chip Operation System)程序;其特征在于:所述的智能卡集成电路的ROM存储器是闪速存储器Flash。该集成电路可以较好地解决以前使用只读存储器ROM作片内操作系统COS载体的各个缺陷,使智能卡的应用更安全、更开放、更灵活;将在技术、经济、社会效益乃至国家安全等许多方面带来很大的好处。 |
