采用闪速存储器作内存的智能卡集成电路

基本信息

申请号 CN99123762.5 申请日 -
公开(公告)号 CN1112650C 公开(公告)日 2003-06-25
申请公布号 CN1112650C 申请公布日 2003-06-25
分类号 G06K19/07 分类 计算;推算;计数;
发明人 魏少军;杨延辉 申请(专利权)人 大唐电信科技股份有限公司微电子分公司
代理机构 北京德琦专利 代理人 夏宪富
地址 100083北京市海淀区学院路40号
法律状态 -

摘要

摘要 一种采用闪速存储器作内存的智能卡集成电路,包括有:由中央处理器CPU,与该中央处理器CPU直接相连接的I/O串行接口和系统总线,通过系统总线与该中央处理器CPU相连接的随机存储器RAM、只读存储器ROM、可擦写的只读存储器EEPROM,与可擦写的只读存储器EEPROM相连接的升压电路所组成的计算机系统,以及时钟电路、复位电路、电源和接地管脚;其中只读存储器ROM用于存储片内操作系统COS(Chip Operation System)程序;其特征在于:所述的智能卡集成电路的ROM存储器是闪速存储器Flash。该集成电路可以较好地解决以前使用只读存储器ROM作片内操作系统COS载体的各个缺陷,使智能卡的应用更安全、更开放、更灵活;将在技术、经济、社会效益乃至国家安全等许多方面带来很大的好处。